Описание PMBFJ309,215
N-channel JFET, NXP
Структураn-каналНапряжение пробоя (V(br)gss), В25Ток утечки (Idss), мА12…30при Vds, В (Vgs=0)10Напряжение отсечки (Vgs off), В1…4при Id, нА1000Сопротивление канала (RDS(On)), Ом50(typ)Максимальная рассеиваемая мощность, Вт0.25Рабочая температура (Tj), °C-65…+150Корпусsot-23Вес, г0.05
Полевой транзистор PMBFJ309,215
Описание товара:
Управляемый P-N переходом транзистор N-канального типа PMBFJ309,215 предназначен для эффективного управления электрическими сигналами. С номинальным напряжением 25 В и мощностью до 250 мВт, данный транзистор идеально подходит для различных электронных устройств.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.05 г. |
| Мощность Макс. | 250 мВт |
| Напряжение отсечки (при токе) | 1 В |
| Напряжение Сток-Исток Макс | 25 В |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
| Проводимость (N/P) | N-канальный |
| Корпус | SOT23-3 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 7fb363f4
- Доступность: В наличие
- Артикул: PMBFJ309,215
-
рассчитывается индивидуально
