Описание MMBFJ112
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
Максимальная рабочая температура+150 °CДлина2.92ммTransistor ConfigurationОдинарныйЕмкость исток-затвор28пФЗапирающий ток сток-исток Idssmin. 5mAПроизводительON SemiconductorЕмкость сток-затвор28пФТип корпусаSOT-23Тип монтажаSurface MountМинимальная рабочая температура-55 °CШирина1.3Высота0.93ммМаксимальное сопротивление сток-исток50 ОмМаксимальное напряжение сток-затвор35VЧисло контактов3Размеры2.92 x 1.3 x 0.93ммКонфигурацияОдинарныйТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток35 ВВес, г0.05
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.03 г. |
| Мощность Макс. | 350 мВт |
| Напряжение отсечки (при токе) | 1 В |
| Напряжение Сток-Исток Макс | 35 В |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
| Проводимость (N/P) | N-канальный |
| Корпус | SOT23-3 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 11ccb0d1
- Доступность: В наличие
- Артикул: MMBFJ112
-
рассчитывается индивидуально
