Описание MMBF4393LT1G
The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications.
• 30VDC Drain-source voltage
• 30VDC Drain-gate voltage
• 30VDC Gate-source voltage
• 50mA Forward gate current
Максимальная рабочая температура+150 °CДлина3.04ммTransistor ConfigurationОдинарныйЕмкость исток-затвор14 pF @ -15 VЗапирающий ток сток-исток Idss5 ? 30mAПроизводительON SemiconductorЕмкость сток-затвор14 pF @ 0 VТип корпусаSOT-23Тип монтажаПоверхностный монтажМинимальная рабочая температура-55 °CШирина1.4ммВысота1.01Максимальное сопротивление сток-исток100 ?Максимальное напряжение сток-затвор30VМаксимальное напряжение сток-исток30 VЧисло контактов3Размеры3.04 x 1.4 x 1.01ммКонфигурацияОдинарныйТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток+30 ВВес, г0.05
ММBF4393LT1G: Полевой транзистор с управляемым P-N переходом
Описание товара:
Транзистор ММBF4393LT1G - это N-канальный полевой транзистор, который обладает управляемым P-N переходом. Он предназначен для работы при напряжении до 30 В и мощности до 225 мВт. Этот транзистор эффективно выполняет функцию усиления и коммутации сигналов в различных электронных устройствах.
Характеристики | |
Вес брутто | 0.03 г. |
Мощность Макс. | 225 мВт |
Напряжение отсечки (при токе) | 500 мВ |
Напряжение Сток-Исток Макс | 30 В |
Нормоупаковка | 3000 шт |
Проводимость (N/P) | N-канальный |
Корпус | SOT23-3 |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 688fcc7a
- Доступность: В наличие
- Артикул: MMBF4393LT1G
-
рассчитывается индивидуально