Описание J113
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
Структураn-каналНапряжение пробоя (V(br)gss), В35Ток утечки (Idss), мА2(min)при Vds, В (Vgs=0)15Напряжение отсечки (Vgs off), В0.5…3при Id, нА1000Сопротивление канала (RDS(On)), Ом100(max)Максимальная рассеиваемая мощность, Вт0.625Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпусto-92Вес, г0.3
Полевой транзистор J113
Описание:
J113 - это качественный полевой транзистор с управляемым P-N переходом, который подходит для различных электронных устройств.
Характеристики:
Тип: N-канальный
Напряжение: 35 В
Мощность: 625 мВт
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.21 г. |
| Мощность Макс. | 625 мВт |
| Напряжение отсечки (при токе) | 500 мВ |
| Напряжение Сток-Исток Макс | 35 В |
| Нормоупаковка | 1000 шт |
| Проводимость (N/P) | N-канальный |
| Корпус | TO92-3 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: ee6f9f30
- Доступность: В наличие
- Артикул: J113
-
рассчитывается индивидуально
