Описание J112
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
Структураn-каналНапряжение пробоя (V(br)gss), В35Ток утечки (Idss), мА5(min)при Vds, В (Vgs=0)15Напряжение отсечки (Vgs off), В1…5при Id, нА1000Сопротивление канала (RDS(On)), Ом50(max)Максимальная рассеиваемая мощность, Вт0.625Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпусto-92Вес, г0.3
Транзистор J112 для электроники
Описание товара:
Характеристики:
Тип: Полевой транзистор с PN-переходом
Полярность: N-канальный
Напряжение: 35 В
Мощность: 625 мВт
Транзистор J112 используется в различных электронных устройствах для управления сигналами и усиления сигналов. Его особенностью является надежность и стабильность работы при высоких нагрузках. Отличный выбор для создания и настройки электронных схем и устройств.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.2 г. |
| Мощность Макс. | 625 мВт |
| Напряжение отсечки (при токе) | 1 В |
| Напряжение Сток-Исток Макс | 35 В |
| Нормоупаковка | 1000 шт |
| Проводимость (N/P) | N-канальный |
| Корпус | TO92-3 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 6af1ca5f
- Доступность: В наличие
- Артикул: J112
-
рассчитывается индивидуально
