STW20NM60, Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 214Вт

Описание STW20NM60 The STW20NM60 is a 600V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements. • High dv/dt and avalanche capabilities • 100% Avalanche tested • Low input capacitance and gate charge • Low gate input resistance Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В600Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.29 ом при 10a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт192Крутизна характеристики, S11Корпусto247Пороговое напряжение на затворе3…5Вес, г7.5

Товар: Транзистор STW20NM60

Характеристики:

Тип: N-канальный

Напряжение: 600 В

Ток: 20 А

Мощность: 214 Вт

Описание:

Транзистор STW20NM60 - высококачественный полевой транзистор, обладающий высокой мощностью и эффективностью. Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокая производительность и надежность.