Описание STW11NK100Z
The STW11NK100Z is a 1000V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
• Extremely high dv/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Very good manufacturing repeatability
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В1000Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.3Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.38 ом при 4.15a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт230Крутизна характеристики, S9Корпусto247Вес, г7.5
Транзистор полевой STW11NK100Z
Производительный и надежный транзистор для вашей электроники
Характеристики:
Напряжение: 1000 В
Ток: 8,3 А
Мощность: 230 Вт
Сопротивление: 1,38 Ом
STW11NK100Z - идеальный выбор для построения силовых устройств и электронных схем
Характеристики | |
Вес брутто | 6 г. |
Входная емкость | 3500пФ |
Заряд затвора | 162нКл |
Мощность макс. | 230Вт |
Напряжение исток-сток макс. | 1000В |
Нормоупаковка | 30 шт |
Пороговое напряжение включения макс. | 4.5В |
Сопротивление открытого канала | 1.38 Ом |
Тип монтажа | Through Hole |
Тип транзистора | N-канал |
Ток стока макс. | 8.3A |
Корпус | TO-247 |
Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: a91d4ce6
- Доступность: В наличие
- Артикул: STW11NK100Z
-
рассчитывается индивидуально