Описание STQ1NK60ZR-AP
The STQ1NK60ZR-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
• 100% Avalanche tested
• Extremely high dV/dt capability
Вес, г0.3
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.5 г. |
| Входная емкость | 94пФ |
| Заряд затвора | 6.9нКл |
| Мощность макс. | 3Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 600В |
| Нормоупаковка | 2000 шт. |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4.5В |
| Сопротивление открытого канала | 15 Ом |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 300мА |
| Корпус | TO92-3 |
| Тип упаковки | Amunition Pack (лента в коробке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 8d9076db
- Доступность: В наличие
- Артикул: STQ1NK60ZR-AP
-
рассчитывается индивидуально
