Описание STP80NF55-08
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В55Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.008 ом при 40a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300Крутизна характеристики, S40Корпусto220abВес, г2.5
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.77 г. |
| Входная емкость | 3850пФ |
| Заряд затвора | 155нКл |
| Мощность макс. | 300Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 55В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 8 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 80A |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: af2a88f4
- Доступность: В наличие
- Артикул: STP80NF55-08
-
189.20 р.
