Описание STP7N80K5
N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature+150 °CNumber of Elements per Chip1Length10.4ммTransistor ConfigurationSingleBrandSTMicroelectronicsMaximum Continuous Drain Current6 АPackage TypeTO-220Maximum Power Dissipation110 ВтSeriesMDmesh K5, SuperMESH5Mounting TypeМонтаж на плату в отверстияMinimum Operating Temperature-55 °CWidth4.6ммMaximum Gate Threshold Voltage5VMinimum Gate Threshold Voltage3VHeight15.75mmMaximum Drain Source Resistance1.2 ?Maximum Drain Source Voltage800 VPin Count3Typical Gate Charge @ Vgs13.4 nC @ 10 VTransistor MaterialSiChannel ModeEnhancementChannel TypeNMaximum Gate Source Voltage-30 V, +30 VВес, г2.5
| Характеристики | |
| Вес брутто | 3.5 г. |
| Входная емкость | 360пФ |
| Заряд затвора | 13.4нКл |
| Мощность макс. | 110Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 800В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Сопротивление открытого канала | 1.2 Ом |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 6A |
| Корпус | TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: afd956f9
- Доступность: В наличие
- Артикул: STP7N80K5
-
рассчитывается индивидуально
