Описание STP75NF75
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В75Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.011 ом при 40a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт45Крутизна характеристики, S20Корпусto220abОсобенностимощный полевойПороговое напряжение на затворе4Вес, г2.5
Полевой транзистор STP75NF75
Отличный выбор для ваших электронных проектов
STP75NF75 - это качественный N-канальный полевой транзистор, способный выдерживать напряжение до 75В и ток до 80А. С его помощью вы сможете создать устройства мощностью до 300Вт.
Этот транзистор идеально подходит для использования в радиоэлектронике, силовых блоках и других электронных устройствах, где требуется высокая производительность и надежность.
Не упустите шанс приобрести качественный транзистор для вашего проекта уже сегодня!
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.82 г. |
| Входная емкость | 3700пФ |
| Заряд затвора | 160нКл |
| Мощность макс. | 300Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 75В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 11 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 80A |
| Корпус | TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
