Описание STP65NF06
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.014 ом при 30a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110Крутизна характеристики, S50Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5
Транзистор полевой N-канальный STP65NF06
Характеристики:
Напряжение: 60В
Ток: 65А
Сопротивление: 0.015 Ом
Мощность: 110Вт
Транзистор полевой N-канальный STP65NF06 обладает высокой надежностью и производительностью. Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокий уровень энергоэффективности. Гарантирует стабильную работу при высоких нагрузках и широком диапазоне рабочих условий.
Характеристики | |
Вес брутто | 2.74 г. |
Входная емкость | 1700пФ |
Заряд затвора | 75нКл |
Мощность макс. | 110Вт |
Напряжение исток-сток макс. | 60В |
Нормоупаковка | 50 шт |
Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
Сопротивление открытого канала | 14 мОм |
Тип монтажа | Through Hole |
Тип транзистора | N-канал |
Ток стока макс. | 60A |
Корпус | TO-220AB |
Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: c420381e
- Доступность: В наличие
- Артикул: STP65NF06
-
86.20 р.