Описание STP65NF06
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С  Iси макс..А60Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.014 ом при 30a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110Крутизна характеристики, S50Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5
                        Транзистор полевой N-канальный STP65NF06
Характеристики:
Напряжение: 60В
Ток: 65А
Сопротивление: 0.015 Ом
Мощность: 110Вт
Транзистор полевой N-канальный STP65NF06 обладает высокой надежностью и производительностью. Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокий уровень энергоэффективности. Гарантирует стабильную работу при высоких нагрузках и широком диапазоне рабочих условий.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.74 г. | 
| Входная емкость | 1700пФ | 
| Заряд затвора | 75нКл | 
| Мощность макс. | 110Вт | 
| Напряжение исток-сток макс. | 60В | 
| Нормоупаковка | 50 шт | 
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В | 
| Сопротивление открытого канала | 14 мОм | 
| Тип монтажа | Through Hole | 
| Тип транзистора | N-канал | 
| Ток стока макс. | 60A | 
| Корпус | TO-220AB | 
| Тип упаковки | Tube (туба) | 
