Описание STP60NF06
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.016 ом при 30a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110Корпусto220abВес, г2.5
Транзистор полевой N-канальный STP60NF06
Характеристики:
Напряжение: 60В
Ток: 60А
Мощность: 110Вт
Описание:
Транзистор полевой N-канальный STP60NF06 обладает высокой эффективностью и надежностью. Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, где требуется большая мощность. Обеспечивает стабильную работу и высокую производительность.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.73 г. |
| Входная емкость | 1660пФ |
| Заряд затвора | 73нКл |
| Мощность макс. | 110Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 16 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 60A |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
