Описание STP55NF06
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.018 ом при 27.5a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5
Транзистор STP55NF06
Описание товара:
Транзистор полевой N-канальный STP55NF06 предназначен для использования в электронных устройствах. Он имеет низкое внутреннее сопротивление и позволяет эффективно управлять большими токами и напряжениями.
Характеристики:
- Напряжение: 60В
- Ток: 55А
- Мощность: 150Вт
Транзистор STP55NF06 идеально подходит для использования в силовых цепях, усилителях мощности и других устройствах, требующих надежного и эффективного управления током.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.75 г. |
| Входная емкость | 1300пФ |
| Заряд затвора | 60нКл |
| Мощность макс. | 110Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 18 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 50A |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
