Описание STP20NM50
The STP20NM50 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET associates the multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout. The device has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics and dynamic performances.
• High dV/dt and avalanche capabilities
• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
• -65 to 150°C Operating junction temperature range
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В500Максимальный ток сток-исток при 25 С  Iси макс..А20Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.25 ом при 10a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт192Крутизна характеристики, S10Корпусto220abПороговое напряжение на затворе3…5Вес, г2.5
                        | Характеристики | |
| Вес брутто | 2.68 г. | 
| Входная емкость | 1480пФ | 
| Заряд затвора | 56нКл | 
| Мощность макс. | 192Вт | 
| Напряжение исток-сток макс. | 500В | 
| Нормоупаковка | 50 шт | 
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В | 
| Сопротивление открытого канала | 250 мОм | 
| Тип монтажа | Through Hole | 
| Тип транзистора | N-канал | 
| Ток стока макс. | 20A | 
| Корпус | TO-220AB | 
| Тип упаковки | Tube (туба) | 
