Описание STP20NM50
The STP20NM50 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET associates the multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout. The device has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics and dynamic performances.
• High dV/dt and avalanche capabilities
• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
• -65 to 150°C Operating junction temperature range
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В500Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.25 ом при 10a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт192Крутизна характеристики, S10Корпусto220abПороговое напряжение на затворе3…5Вес, г2.5
Характеристики | |
Вес брутто | 2.68 г. |
Входная емкость | 1480пФ |
Заряд затвора | 56нКл |
Мощность макс. | 192Вт |
Напряжение исток-сток макс. | 500В |
Нормоупаковка | 50 шт |
Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
Сопротивление открытого канала | 250 мОм |
Тип монтажа | Through Hole |
Тип транзистора | N-канал |
Ток стока макс. | 20A |
Корпус | TO-220AB |
Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: e4066499
- Доступность: В наличие
- Артикул: STP20NM50
-
362.64 р.