Описание STP16N65M5
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В650Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±25Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.299 ом при 6a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт90Корпусto220abВес, г2.5
Транзистор полевой STP16N65M5
Мощный и надежный транзистор для вашего проекта
STP16N65M5 - это N-канальный транзистор, который обеспечивает надежную работу при напряжении до 650В и токе до 12А. С мощностью до 90Вт, этот транзистор идеально подходит для широкого спектра электронных устройств и схем.
Характеристики:
- Напряжение: 650В
- Ток: 12А
- Мощность: 90Вт
- Тип: N-канальный
STP16N65M5 обеспечивает эффективную работу вашего устройства и обладает высокой надежностью. Приобретайте качественные компоненты для своих проектов с транзистором STP16N65M5!
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.7 г. |
| Входная емкость | 1250пФ |
| Заряд затвора | 45нКл |
| Мощность макс. | 90Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 650В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Сопротивление открытого канала | 299 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 12A |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
