STP140NF55, Транзистор полевой N-канальный 55В 80А 300Вт

Описание STP140NF55 The STP140NF55 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. • -55 to 175°C Operating junction temperature range EU RoHSCompliant with ExemptionECCN (US)EAR99Part StatusNRNDProduct CategoryPower MOSFETProcess TechnologySTripFET IIConfigurationSingleChannel ModeEnhancementChannel TypeNNumber of Elements per Chip1Maximum Drain Source Voltage (V)55Maximum Gate Source Voltage (V)±20Maximum Continuous Drain Current (A)80Maximum Drain Source Resistance (mOhm)8@10VTypical Gate Charge @ Vgs (nC)142@10VTypical Gate Charge @ 10V (nC)142Typical Input Capacitance @ Vds (pF)5300@25VMaximum Power Dissipation (mW)300000Typical Fall Time (ns)45Typical Rise Time (ns)150Typical Turn-Off Delay Time (ns)125Typical Turn-On Delay Time (ns)30Minimum Operating Temperature (°C)-55Maximum Operating Temperature (°C)175PackagingTubeAutomotiveNoPin Count3Supplier PackageTO-220Standard Package NameTO-220MilitaryNoMountingThrough HolePackage Height9.15(Max)Package Length10.4(Max)Package Width4.6(Max)PCB changed3TabTabLead ShapeThrough HoleВес, г2.5

Транзистор полевой N-канальный STP140NF55

Характеристики:

• Напряжение: 55В
• Ток: 80А
• Мощность: 300Вт

Транзистор полевой N-канальный STP140NF55 является надежным и высококачественным элементом в электронике. Он обладает высокой мощностью и способен выдерживать высокие токи. Идеально подходит для использования в различных устройствах, где требуется эффективное управление электрическим током. Приобретайте транзистор STP140NF55 и обеспечьте надежную работу Ваших устройств!