Описание STP120NF10
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0105 ом при 60a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт312Корпусto220abПороговое напряжение на затворе4Вес, г2.5
Высокопроизводительный транзистор для вашего проекта
STP120NF10: надежность и мощность
Этот транзистор полевой N-канальный обладает высокими техническими характеристиками — напряжение до 100В, ток до 110А и мощность до 300Вт. Он идеально подходит для различных электронных устройств и проектов, где требуется надежная и мощная работа.
Особенности: высокая производительность, надежность, широкий диапазон применения.
STP120NF10 — ваш выбор для эффективной работы электроники!
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.8 г. |
| Входная емкость | 5200пФ |
| Заряд затвора | 233нКл |
| Мощность макс. | 312Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 10.5 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 110A |
| Корпус | TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
