STP11NM60ND, Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 90Вт

Описание STP11NM60ND The STP11NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced ON-resistance and fast switching with an intrinsic fast recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters. • The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device • Low gate input resistance Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В600Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±25Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.45 ом при 5a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110Крутизна характеристики, S7.5Корпусto220abПороговое напряжение на затворе3…5Вес, г2.5

Транзистор полевой N-канальный STP11NM60ND

Описание:

Характеристики:

Напряжение: 600В

Ток: 10А

Мощность: 90Вт

Транзистор полевой N-канальный STP11NM60ND предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокая надежность и эффективность. Он обладает высокими техническими характеристиками, позволяя передавать большие электрические токи и обеспечивая стабильную работу устройства.