Описание STP11NK50Z
The STP11NK50Z is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitances
• -55 to 150°C Operating junction temperature range
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В500Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.52 ом при 4.5a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125Крутизна характеристики, S7.7Корпусto220abВес, г2.5
Транзистор полевой STP11NK50Z
STP11NK50Z - высококачественный транзистор полевой типа N, предназначенный для использования в различных электронных устройствах.
Характеристики:
Напряжение: 500 В
Ток: 10 А
Мощность: 115 Вт
Этот транзистор идеально подходит для создания силовых устройств и других электронных схем.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.82 г. |
| Входная емкость | 1390пФ |
| Заряд затвора | 68нКл |
| Мощность макс. | 125Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 500В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4.5В |
| Сопротивление открытого канала | 520 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 10A |
| Корпус | TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
