Описание STFW4N150
The STFW4N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
• 100% Avalanche tested
• Intrinsic capacitances and Qg minimized
• High speed switching
• High peak power
• High ruggedness capability
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В1500Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)7 ом при 2a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт63Крутизна характеристики, S3.5Корпусto3pfПороговое напряжение на затворе3…5Вес, г7.5
| Характеристики | |
| Вес брутто | 7.34 г. |
| Входная емкость | 1300пФ |
| Заряд затвора | 50нКл |
| Мощность макс. | 63Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 1500В |
| Нормоупаковка | 30 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Сопротивление открытого канала | 7 Ом |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 4A |
| Корпус | TO-3PF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
