Описание STD18N55M5
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В550Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.192 ом при 8a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт90КорпусdpakВес, г0.4
Транзистор полевой STD18N55M5
Мощный транзистор для электронных устройств
Этот N-канальный транзистор обладает надежными характеристиками: напряжение до 550В, ток до 13А и мощность до 90Вт. Идеальный выбор для создания электронных устройств с высокой производительностью.
Характеристики:
- Напряжение: 550В
- Ток: 13А
- Мощность: 90Вт
Необходимый компонент для тех, кто занимается разработкой и сборкой электроники. Обеспечивает стабильную работу устройств и долгий срок службы.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.6 г. |
| Входная емкость | 1260пФ |
| Заряд затвора | 31нКл |
| Мощность макс. | 110Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 550В |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Сопротивление открытого канала | 192 мОм |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 16A |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
