Описание STD10NM60N
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В600Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.6 ом при 4a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт70КорпусdpakВес, г0.4
Характеристики | |
Вес брутто | 0.6 г. |
Входная емкость | 540пФ |
Заряд затвора | 19нКл |
Мощность макс. | 70Вт |
Напряжение исток-сток макс. | 600В |
Нормоупаковка | 2500 шт |
Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
Сопротивление открытого канала | 550 мОм |
Тип монтажа | Surface Mount |
Тип транзистора | N-канал |
Ток стока макс. | 10A |
Корпус | DPAK/TO-252AA |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: c0801500
- Доступность: В наличие
- Артикул: STD10NM60N
-
82.32 р.