STB9NK60ZT4, Транзистор полевой N-канальный 600В 7А 125Вт

Описание STB9NK60ZT4 The STB9NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications. • Improved ESD capability • 100% Avalanche tested • Very low intrinsic capacitance • Extremely high dV/dt capability Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В600Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.95 ом при 3.5a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125Крутизна характеристики, S5.3Корпусd2pakПороговое напряжение на затворе3…4.5Вес, г2.5