STB9NK50ZT4, Транзистор полевой N-канальный 500В 7.2A

Описание STB9NK50ZT4 MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 7.2 А; Rси(вкл): 0.85 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 850 мОм Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока7.2 AТип корпусаD2PAK (TO-263)Максимальное рассеяние мощности110 ВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина9.35ммВысота4.6ммРазмеры10.4 x 9.35 x 4.6ммМатериал транзистораSIКоличество элементов на ИС1Длина10.4ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения17 нсПроизводительSTMicroelectronicsТипичное время задержки выключения45 nsСерияMDmesh, SuperMESHМинимальная рабочая температура-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage4.5VMinimum Gate Threshold Voltage3VМаксимальное сопротивление сток-исток850 m?Максимальное напряжение сток-исток500 ВЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs32 nC @ 10 VНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds910 пФ при 25 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 VВес, г2.5