Описание STB55NF06T4
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.018 ом при 27.5a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110Крутизна характеристики, S18Корпусd2pakВес, г2.5
Полевой транзистор STB55NF06T4
Отличный выбор для вашего проекта!
Характеристики:
Тип: N-канальный
Напряжение: 60В
Ток: 50А
Мощность: 110Вт
Этот транзистор обеспечит стабную и надежную работу вашего устройства. Идеально подходит для различных электронных проектов.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.11 г. |
| Входная емкость | 1300пФ |
| Заряд затвора | 60нКл |
| Мощность макс. | 110Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Нормоупаковка | 1000 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 18 мОм |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 50A |
| Корпус | D2PAK/TO263 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
