SIR462DP-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 30В 30A

Описание SIR462DP-T1-GE3 The SIR462DP-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high-side switch, server, VRM, POL and DC-to-DC conversion applications. • 100% Rg tested • 100% UIS tested • Halogen-free • -55 to 150°C Operating temperature range Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока19 АТип корпусаPowerPAK SOМаксимальное рассеяние мощности4,8 ВтТип монтажаSurface MountШирина5.89ммВысота1.04ммРазмеры4.9 x 5.89 x 1.04ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина4.9ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения20 nsПроизводительVishayТипичное время задержки выключения25 nsМинимальная рабочая температура-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage1VМаксимальное сопротивление сток-исток8 m?Максимальное напряжение сток-исток30 VЧисло контактов8КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs20 нКл при 10 В, 8,8 нКл при 4,5 ВНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds1155 пФ при 15 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВВес, г0.223