Описание SI2323DS-T1-E3
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
Структураp-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В-20Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-5.3Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±8Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.039 ом при-4.1a, -4.5вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.75Крутизна характеристики, S16Корпусsot23Вес, г0.05
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.06 г. |
| Входная емкость | 1020пФ |
| Заряд затвора | 19нКл |
| Мощность макс. | 750мВт |
| Напряжение исток-сток макс. | 20В |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 1В |
| Сопротивление открытого канала | 39 мОм |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | P-канал |
| Ток стока макс. | 3.7A |
| Корпус | SOT23-3 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 1bbac894
- Доступность: В наличие
- Артикул: SI2323DS-T1-E3
-
рассчитывается индивидуально
