Описание SI2319CDS-T1-GE3
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
Maximum Operating Temperature+150 °CNumber of Elements per Chip1Length3.04mmTransistor ConfigurationSingleBrandVishayMaximum Continuous Drain Current4.4 APackage TypeSOT-23Maximum Power Dissipation2.5 WMounting TypeSurface MountMinimum Operating Temperature-55 °CWidth1.4mmMinimum Gate Threshold Voltage1.2VHeight1.02mmMaximum Drain Source Resistance108 m?Maximum Drain Source Voltage40 VPin Count3Typical Gate Charge @ Vgs13.6 nC @ 10 VTransistor MaterialSiChannel ModeEnhancementChannel TypePMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 VВес, г0.05
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.04 г. |
| Входная емкость | 595пФ |
| Заряд затвора | 21нКл |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 40В |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.5В |
| Сопротивление открытого канала | 77 мОм |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | P-канал |
| Ток стока макс. | 4.4A |
| Корпус | SOT23-3 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: ec3bac91
- Доступность: В наличие
- Артикул: SI2319CDS-T1-GE3
-
рассчитывается индивидуально
