Описание SI2318CDS-T1-GE3
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
Maximum Operating Temperature+150 °CNumber of Elements per Chip1Length3.04mmTransistor ConfigurationSingleBrandVishayMaximum Continuous Drain Current5.6 APackage TypeSOT-23Maximum Power Dissipation2.1 WMounting TypeSurface MountMinimum Operating Temperature-55 °CWidth1.4mmMinimum Gate Threshold Voltage1.2VHeight1.02mmMaximum Drain Source Resistance51 m?Maximum Drain Source Voltage40 VPin Count3Typical Gate Charge @ Vgs5.8 nC @ 10 VTransistor MaterialSiChannel ModeEnhancementChannel TypeNMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 VВес, г0.05
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.05 г. |
| Входная емкость | 340пФ |
| Заряд затвора | 9нКл |
| Мощность макс. | 2.1Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 40В |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.5В |
| Сопротивление открытого канала | 42 мОм |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 5.6A |
| Корпус | SOT23-3 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: bb2a8ef8
- Доступность: В наличие
- Артикул: SI2318CDS-T1-GE3
-
рассчитывается индивидуально
