Описание SI2308BDS-T1-GE3
The SI2308BDS-T1-GE3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
• 100% Rg Tested
• 100% UIS Tested
• ±20V Gate-source voltage
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.3Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.192 ом при 1.7a, 4.5вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.66Крутизна характеристики, S5Корпусsot23Вес, г0.05
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.05 г. |
| Входная емкость | 190пФ |
| Заряд затвора | 6.8нКл |
| Мощность макс. | 1.66Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Сопротивление открытого канала | 156 мОм |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 2.3A |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: aebf3423
- Доступность: В наличие
- Артикул: SI2308BDS-T1-GE3
-
рассчитывается индивидуально
