NTD6414ANT4G, Транзистор полевой N-канальный 100В 32A

Описание NTD6414ANT4G The NTD6414ANT4G is a N-channel Power MOSFET offers 100V drain source voltage and 32A continuous drain current. • Lower RDS (ON) • High current capability • 100% Avalanche tested • -55 to 175°C Operating junction temperature range Максимальная рабочая температура+175 °CМаксимальный непрерывный ток стока32 АТип корпусаDPAK (TO-252)Максимальное рассеяние мощности100 ВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина6.22ммВысота2.38ммРазмеры6.73 x 6.22 x 2.38ммМатериал транзистораSIКоличество элементов на ИС1Длина6.73ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения11 nsПроизводительON SemiconductorТипичное время задержки выключения38 нсМинимальная рабочая температура-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage4VМаксимальное сопротивление сток-исток37 m?Максимальное напряжение сток-исток100 ВЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs40 nC @ 10 VНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds1450 pF @ 25 VТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВВес, г0.401