IRLZ34NSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 30A

Описание IRLZ34NSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Maximum Operating Temperature+175 °CMaximum Continuous Drain Current30 APackage TypeD2PAK (TO-263)Maximum Power Dissipation68 WMounting TypeSurface MountWidth11.3mmForward Transconductance11sHeight4.83mmDimensions10.67 x 11.3 x 4.83mmTransistor MaterialSiNumber of Elements per Chip1Length10.67mmTransistor ConfigurationSingleTypical Turn-On Delay Time8.9 nsBrandInfineonTypical Turn-Off Delay Time21 nsSeriesHEXFETMinimum Operating Temperature-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage2VMinimum Gate Threshold Voltage1VMaximum Drain Source Resistance60 m?Maximum Drain Source Voltage55 VPin Count3CategoryPower MOSFETTypical Gate Charge @ Vgs25 nC @ 5 VChannel ModeEnhancementTypical Input Capacitance @ Vds880 pF @ 25 VChannel TypeNMaximum Gate Source Voltage-16 V, +16 VForward Diode Voltage1.3VВес, г2.5

Транзистор полевой N-канальный IRLZ34NSTRLPBF

Мощный и надежный транзистор для электронных устройств

Характеристики:

- Напряжение: 55В

- Ток: 30A

Этот полевой транзистор идеально подходит для различных электронных устройств, где требуется высокая производительность и надежность. Благодаря своим характеристикам он обеспечивает стабильную работу и эффективное управление током. Покупайте транзистор IRLZ34NSTRLPBF и обеспечьте отличное качество своим электронным проектам!