Описание IRLR8726TRPBF
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А85Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0058 ом при 25a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт75КорпусdpakВес, г0.4
Транзистор IRLR8726TRPBF
Описание товара:
Тип: N-канальный
Напряжение: 30В
Ток: 86A
Транзистор IRLR8726TRPBF - надежный элемент для электронных устройств, обладающий высокой производительностью и длительным сроком службы. Идеально подходит для использования в силовых устройствах и электронике общего назначения.
Характеристики | |
Вес брутто | 0.61 г. |
Входная емкость | 2150пФ |
Заряд затвора | 23нКл |
Мощность макс. | 75Вт |
Напряжение исток-сток макс. | 30В |
Нормоупаковка | 2000 шт |
Особенности | Logic Level Gate |
Пороговое напряжение включения макс. | 2.35В |
Сопротивление открытого канала | 5.8 мОм |
Тип монтажа | Surface Mount |
Тип транзистора | N-канал |
Ток стока макс. | 86A |
Корпус | DPAK/TO-252AA |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 0c03326c
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRLR8726TRPBF
-
44 971.00 р.