IRLR3110ZTRPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 42A

Описание IRLR3110ZTRPBF N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А63Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.014 ом при 38a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт140Крутизна характеристики, S52КорпусdpakВес, г0.4

Высококачественный полевой транзистор для электроники

IRLR3110ZTRPBF - надежный элемент с высокой производительностью

Характеристики:

- Тип: N-канальный

- Напряжение: 100В

- Ток: 42A

Этот транзистор идеален для использования в различных устройствах, требующих высокой мощности и эффективной работы. Обеспечивает стабильную и надежную работу вашего оборудования.