IRLR2905TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 42A

Описание IRLR2905TRPBF The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications. • Logic level gate drive • Advanced process technology • Fully avalanche rating • Low static drain-to-source ON-resistance • Dynamic dV/dt rating Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В55Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.027 ом при 25a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110Крутизна характеристики, S21КорпусdpakВес, г0.4

Транзистор полевой N-канальный IRLR2905TRPBF

Мощный транзистор для электроники

Характеристики: Напряжение - 55В, Ток - 42A

Применение: Идеально подходит для работы в электронных устройствах, усилителях и других электрических цепях.

Описание: Транзистор IRLR2905TRPBF обладает высокой производительностью и надежностью, что делает его отличным выбором для проектов, где требуется высокая электрическая мощность.

Необходимый компонент для вашего следующего проекта!