IRLR110PBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3А 25Вт

Описание IRLR110PBF The IRLR110PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Surface-mount • Logic-level gate drive • RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.3Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.54 ом при 2.6a, 5вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт25Крутизна характеристики, S2.3КорпусdpakПороговое напряжение на затворе2Вес, г0.4

Транзистор IRLR110PBF

Описание:

Тип: N-канальный

Напряжение: 100V

Ток: 4.3A

Мощность: 25W

Этот транзистор полевой с отличной производительностью подходит для широкого спектра применений, от устройств управления моторами до блоков питания. Обеспечивает надежное и стабильное функционирование вашего оборудования.