IRLL024NTRPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт

Описание IRLL024NTRPBF The IRLL024NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. • Advanced process technology • Ultra-low ON-resistance • Fully avalanche rating • Low static drain-to-source ON-resistance • Dynamic dV/dt rating • Logic level Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока4.4 AТип корпусаSOT-223Максимальное рассеяние мощности2.1 WТип монтажаПоверхностный монтажШирина3.7ммВысота1.739ммРазмеры6.7 x 3.7 x 1.739ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина6.7ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения7,4 нсПроизводительInfineonТипичное время задержки выключения18 нсСерияHEXFETМинимальная рабочая температура-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage2VMinimum Gate Threshold Voltage1VМаксимальное сопротивление сток-исток100 мОмМаксимальное напряжение сток-исток55 ВЧисло контактов3+TabКатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs10,4 нКл при 5 ВНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds510 пФ при 25 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-16 V, +16 VВес, г0.39

Транзистор IRLL024NTRPBF

Полевой N-канальный транзистор высокого качества

Характеристики:

- Напряжение: 55В

- Ток: 3.1А

- Мощность: 2.1Вт

Идеально подходит для использования в различных устройствах и схемах. Обеспечивает стабильную и эффективную работу благодаря своим высоким техническим характеристикам.