Описание IRLD110PBF
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.54 ом при 0.6a, 5вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3Крутизна характеристики, S1.3Корпусhd-1Пороговое напряжение на затворе2Вес, г0.6
Транзистор IRLD110PBF
Описание товара
Представляем вам транзистор IRLD110PBF - это надежный полевой N-канальный транзистор с напряжением 100В и током 1A. Этот транзистор обеспечивает стабильную работу вашего устройства и является отличным выбором для различных электронных проектов.
Характеристики
Модель: IRLD110PBF
Тип: полевой N-канальный
Напряжение: 100В
Ток: 1A
Преимущества
Высокое качество - транзистор IRLD110PBF изготовлен из прочных материалов для долговечности и надежности.
Универсальность использования - подходит для широкого спектра электронных устройств и проектов.
Простота в монтаже - удобные размеры и форм-фактор делают установку транзистора легкой и быстрой.
Характеристики | |
Входная емкость | 250пФ |
Заряд затвора | 6.1нКл |
Мощность макс. | 1.3Вт |
Напряжение исток-сток макс. | 100В |
Нормоупаковка | 100 шт |
Особенности | Logic Level Gate |
Пороговое напряжение включения макс. | 2В |
Сопротивление открытого канала | 540 мОм |
Тип монтажа | Through Hole |
Тип транзистора | N-канал |
Ток стока макс. | 1A |
Корпус | DIP-4 |
Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: c69af7e4
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRLD110PBF
-
рассчитывается индивидуально