IRL540NSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 36A

Описание IRL540NSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Maximum Operating Temperature+175 °CMaximum Continuous Drain Current36 APackage TypeD2PAK (TO-263)Maximum Power Dissipation140 WMounting TypeSurface MountWidth11.3mmForward Transconductance14sHeight4.83mmDimensions10.67 x 11.3 x 4.83mmTransistor MaterialSiNumber of Elements per Chip1Length10.67mmTransistor ConfigurationSingleTypical Turn-On Delay Time11 nsBrandInfineonTypical Turn-Off Delay Time39 nsSeriesHEXFETMinimum Operating Temperature-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage2VMinimum Gate Threshold Voltage1VMaximum Drain Source Resistance63 m?Maximum Drain Source Voltage100 VPin Count3CategoryPower MOSFETTypical Gate Charge @ Vgs74 nC @ 5 VChannel ModeEnhancementTypical Input Capacitance @ Vds1800 pF @ 25 VChannel TypeNMaximum Gate Source Voltage-16 V, +16 VForward Diode Voltage1.3VВес, г2.5

Транзистор полевой IRL540NSTRLPBF

Мощный и надежный транзистор для электроники

Характеристики:

Тип: N-канальный

Напряжение: 100 В

Ток: 36 A

Идеально подходит для различных электронных устройств, где требуется высокая эффективность и надежность. Поддерживает высокие токи и напряжения, что делает его отличным выбором для проектов с высокими требованиями к своим компонентам.