Описание IRFU120NPBF
The IRFU120NPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
• 175°C Operating temperature
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated
Максимальная рабочая температура+175 °CМаксимальный непрерывный ток стока9,4 АТип корпусаIPAK (TO-251)Максимальное рассеяние мощности48 ВтТип монтажаМонтаж на плату в отверстияШирина2.3ммВысота6.1ммРазмеры6.6 x 2.3 x 6.1ммМатериал транзистораSIКоличество элементов на ИС1Длина6.6ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения4.5 nsПроизводительInfineonТипичное время задержки выключения32 нсСерияHEXFETМинимальная рабочая температура-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage4VMinimum Gate Threshold Voltage2VМаксимальное сопротивление сток-исток210 мОмМаксимальное напряжение сток-исток100 ВЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs25 нКл при 10 ВНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds330 pF@ 25 VТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВВес, г0.45
Полевой транзистор IRFU120NPBF
Описание:
Напряжение: 100 В
Ток: 7.7 А
Мощность: 42 Вт
Сопротивление: 0.27 Ом
Идеальный выбор для создания электронных устройств с высокой производительностью!
| Характеристики | |
| Вес брутто | 1.02 г. |
| Входная емкость | 330пФ |
| Заряд затвора | 25нКл |
| Мощность макс. | 48Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Нормоупаковка | 75 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 210 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 9.4A |
| Корпус | TO-251 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
