IRFRC20PBF, Транзистор полевой N-канальный 600В 2.0А 42Вт, 4.4 Ом

Описание IRFRC20PBF The IRFRC20PBF is a 600V N-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface mount applications. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Easy to parallel • Fast switching Id - непрерывный ток утечки2 APd - рассеивание мощности42 WQg - заряд затвора18 nCRds Вкл - сопротивление сток-исток4.4 OhmsVds - напряжение пробоя сток-исток600 VVgs - напряжение затвор-исток10 VVgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 VВид монтажаSMD/SMTВремя нарастания23 nsВремя спада25 nsКанальный режимEnhancementКатегория продуктаМОП-транзисторКоличество каналов1 ChannelКонфигурацияSingleКрутизна характеристики прямой передачи - Мин.1.4 SМаксимальная рабочая температура+ 150 CМинимальная рабочая температура55 CПодкатегорияMOSFETsПолярность транзистораN-ChannelРазмер фабричной упаковки3000СерияIRFR/UТехнологияSiТип продуктаMOSFETТип транзистора1 N-ChannelТипичное время задержки выключения30 nsТипичное время задержки при включении10 nsТорговая маркаVishay / SiliconixУпаковкаTubeУпаковка / блокTO-252-3Вес, г0.6

Транзистор IRFRC20PBF

Полевой N-канальный транзистор для электроники

Характеристики:

Напряжение: 600В

Ток: 2.0А

Мощность: 42Вт

Сопротивление: 4.4 Ом

Отличный выбор для создания различных электронных устройств и схем. Гарантирует надежную работу и высокое качество сигнала. Подходит для широкого спектра проектов.