IRFR5305TRLPBF, Транзистор полевой P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом

Описание IRFR5305TRLPBF The IRFR5305TRLPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications. • Advanced process technology • Fully avalanche rating • Low static drain-to-source ON-resistance • Dynamic dV/dt rating Id - непрерывный ток утечки31 APd - рассеивание мощности110 WQg - заряд затвора42 nCRds Вкл - сопротивление сток-исток65 mOhmsVds - напряжение пробоя сток-исток55 VVgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 VVgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.4 VВид монтажаSMD/SMTВремя нарастания66 nsВремя спада63 nsВысота2.3 mmДлина6.5 mmКанальный режимEnhancementКатегория продуктаМОП-транзисторКоличество каналов1 ChannelКонфигурацияSingleКрутизна характеристики прямой передачи - Мин.8 SМаксимальная рабочая температура+ 175 CМинимальная рабочая температура55 CПодкатегорияMOSFETsПолярность транзистораP-ChannelРазмер фабричной упаковки3000ТехнологияSiТип продуктаMOSFETТип транзистора1 P-ChannelТипичное время задержки выключения39 nsТипичное время задержки при включении14 nsТорговая маркаInfineon / IRУпаковка / блокTO-252-3Ширина6.22 mmВес, г0.4