IRFR420PBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом

Описание IRFR420PBF The IRFR420PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications. • Dynamic dV/dt rating • Ease of paralleling • Surface-mount • Repetitive avalanche rated Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В500Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.4Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3 ом при 1.4a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт42Крутизна характеристики, S1.5КорпусdpakВес, г0.4

Полевой N-канальный транзистор IRFR420PBF

Характеристики:

Напряжение: 500В

Ток: 2.4А

Мощность: 42Вт

Сопротивление: 3.0 Ом

IRFR420PBF – высококачественный N-канальный транзистор, который обладает высоким номинальным напряжением, током и мощностью. Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах.