IRFR3910TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 16A 52Вт

Описание IRFR3910TRPBF The IRFR3910TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications. • Advanced process technology • Fast switching • Fully avalanche rating • Low static drain-to-source ON-resistance • Dynamic dV/dt rating Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В4Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.115 ом при 10a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт79Крутизна характеристики, S6.4КорпусdpakВес, г0.4

Транзистор IRFR3910TRPBF: надежный элемент для усилителя мощности

Описание товара

IRFR3910TRPBF - это высококачественный полевой транзистор, который обеспечивает отличную производительность в электронике. Этот N-канальный транзистор способен выдерживать напряжение до 100В и ток до 16A, что позволяет ему работать с мощностью до 52Вт.

Преимущества продукта

IRFR3910TRPBF обладает высокой устойчивостью к перегреву и перегрузке, что делает его идеальным для использования в усилителях мощности и других устройствах, где требуется эффективная передача энергии. Благодаря своей компактной конструкции он легко монтируется на печатные платы и занимает минимум места в электронном устройстве.

Покупайте транзистор IRFR3910TRPBF прямо сейчас и улучшите электронику своих проектов!