Описание IRFPG50PBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В1000Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.1Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2 ом при 3.6a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт190Крутизна характеристики, S5.4Корпусto247acПороговое напряжение на затворе4Вес, г7.5
Транзистор полевой IRFPG50PBF
Описание:
Тип: N-канальный
Напряжение: 1000 В
Ток: 6.1 А
Мощность: 190 Вт
Сопротивление: 2.0 Ом
Характеристики:
Транзистор полевой IRFPG50PBF предназначен для использования в различных электронных устройствах. С номинальными параметрами 1000В, 6.1А, 190Вт и 2.0 Ом он обеспечивает стабильную работу и высокую производительность. Подходит для широкого спектра применений.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 6.06 г. |
| Входная емкость | 2800пФ |
| Заряд затвора | 190нКл |
| Мощность макс. | 190Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 1000В |
| Нормоупаковка | 25 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 2 Ом |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 6.1A |
| Корпус | TO-247AC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 5bab0551
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRFPG50PBF
-
рассчитывается индивидуально
