Описание IRFPF50PBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В900Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.7Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.6 ом при 4a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт190Крутизна характеристики, S4.9Корпусto247acПороговое напряжение на затворе4Вес, г7.5
Транзистор IRFPF50PBF
Описание товара
Характеристики:
Тип: Полевой транзистор
Тип корпуса: TO-247AC
Напряжение: 900В
Ток: 6.7А
Мощность: 190Вт
Сопротивление: 1.6 Ом
Этот N-канальный полевой транзистор IRFPF50PBF предназначен для использования в различных схемах усиления и управления. Он обладает высокой мощностью и надежностью, что делает его идеальным выбором для различных электронных устройств.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 6.78 г. |
| Входная емкость | 2900пФ |
| Заряд затвора | 200нКл |
| Мощность макс. | 190Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 900В |
| Нормоупаковка | 25 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 1.6 Ом |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 6.7A |
| Корпус | TO-247AC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: d27d4c6c
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRFPF50PBF
-
рассчитывается индивидуально
