Описание IRFPE50PBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В800Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.8Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.2 ом при 4.7a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт190Крутизна характеристики, S5.6Корпусto247acПороговое напряжение на затворе4Вес, г7.5
Транзистор полевой IRFPE50PBF
Высоковольтный, высокотоковый и мощный
Характеристики:
Напряжение: 800В
Ток: 7.8А
Мощность: 190Вт
Сопротивление канала: 1.2 Ом
Идеальное решение для устройств, требующих высокой эффективности и надежности.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 6.46 г. |
| Входная емкость | 3100пФ |
| Заряд затвора | 200нКл |
| Мощность макс. | 190Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 800В |
| Нормоупаковка | 25 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 1.2 Ом |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 7.8A |
| Корпус | TO-247AC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 577ab017
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRFPE50PBF
-
рассчитывается индивидуально
