Описание IRFP250PBF
The IRFP250PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• Isolated central mounting hole
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В200Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.085 ом при 18a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт190Крутизна характеристики, S12Корпусto247acПороговое напряжение на затворе4Вес, г7.5
Транзистор IRFP250PBF
Тип: N-канальный
Напряжение: 200В
Ток: 30А
Мощность: 190Вт
Транзистор IRFP250PBF обладает высокой надежностью и эффективностью. Идеально подходит для различных электронных устройств, где требуется высокая мощность и надежная работа.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 6.08 г. |
| Входная емкость | 2800пФ |
| Заряд затвора | 140нКл |
| Мощность макс. | 190Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Нормоупаковка | 25 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 85 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 30A |
| Корпус | TO-247AC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 4b4c9cc5
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRFP250PBF
-
рассчитывается индивидуально
