IRFP1405PBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 95А 310Вт

Описание IRFP1405PBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Maximum Operating Temperature+175 °CMaximum Continuous Drain Current160 APackage TypeTO-247Maximum Power Dissipation310 WMounting TypeThrough HoleWidth19.71mmForward Transconductance77sHeight5.31mmDimensions15.29 x 19.71 x 5.31mmTransistor MaterialSiNumber of Elements per Chip1Length15.29mmTransistor ConfigurationSingleTypical Turn-On Delay Time12 nsBrandInfineonTypical Turn-Off Delay Time140 nsSeriesHEXFETMinimum Operating Temperature-55 °CMaximum Drain Source Resistance5.3 m?Maximum Drain Source Voltage55 VPin Count3CategoryPower MOSFETTypical Gate Charge @ Vgs120 nC @ 10 VChannel ModeEnhancementTypical Input Capacitance @ Vds5600 pF @ 25 VChannel TypeNMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 VForward Diode Voltage1.3VВес, г7.5

Транзистор IRFP1405PBF: высокотоковый N-канальный элемент

Ключевые характеристики:

Напряжение: 55В

Ток: 95А

Мощность: 310Вт

Описание товара:

IRFP1405PBF – это мощный N-канальный транзистор, способный работать при высоких токах и напряжениях. Идеально подходит для устройств, где требуется эффективное управление мощностью. Благодаря своим техническим характеристикам, данное устройство является надежным и долговечным элементом для различных электронных устройств.